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研究開発推進機構の川口健次先生が優秀講演賞を受賞

2015年12月11日

研究開発推進機構の川口健次先生が第17回関西表面技術フォーラムで優秀講演賞を受賞

2015年11月26~27日に開催された第17回関西表面技術フォーラムにおいて、研究開発推進機構特任研究員(助教)の川口健次先生が優秀講演賞を受賞しました。川口先生は、FE-SEMで1 kVの低加速入射電子によりIrO2-Ta2O5混合酸化物被覆電極で起こる酸素発生と鉛イオンの酸化に対するそれぞれの活性サイトを明らかにすることに成功し、その研究内容が高く評価されました。この電極は、本学が米国企業へ特許実施許諾している技術であり、現在、電解採取用陽極として実用化されています。
 
■発表題目
 低加速入射電子を用いた酸化物被覆電極の最表面観察と電気化学反応解析への応用

■発表者
 川口 健次 (研究開発推進機構 特定任用研究員 助教)

■連名者
 盛満 正嗣 (理工学部教授)
 
(関連論文)
K. Kawaguchi and M. Morimitsu, Electrochemistry, 83, 256 (2015).
K. Kawaguchi and M. Morimitsu, Journal of MMIJ, 131, 129 (2015).
K. Kawaguchi and M. Morimitsu, J. Surf. Finish. Soc. Jpn., 66, 282 (2015).
K. Kawaguchi and M. Morimitsu, J. Surf. Finish. Soc. Jpn., 66, 673 (2015).